«Фотолитография»

способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. Ф. обычно включает: 1) нанесение фоторезиста на металл, диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования, напыления или возгонки; 2) сушку фоторезиста при 90-110 ⁰C для улучшения его адгезии к подложке; 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; осуществляется с помощью ртутных ламп (при контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе); 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения Путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. р-рителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) при 100-200 ⁰C для увеличения его стойкости при травлении; б) травление участков своб. пов-сти травителями кислотного типа (напр., на основе HF, NH₄F или CH₃COOH) или сухими методами (напр., галогенсодержащей плазмой); 7) удаление маски р-рителями или выжиганием кислородной плазмой. Масштаб передачи рисунка фотошаблона обычно 1:1 или 5:1 и 10:1 (при проекц. способе экспонирования).

При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на разл. технол. слоях материала и при этом каждый послед. рисунок должен быть совмещен с предыду-щим.

Часто для придания фоторезистному покрытию специфич. св-в (повышение стойкости к травителям, уменьшение отражения излучения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные покрытия, в к-рых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. ф-ции. Двухслойное покрытие м. б. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хим. модификации пов-сти.

Разновидности Ф.: т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металла) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металла на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металлич. слоя, осевшего на маску; во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рисунок.

Осн. требования к Ф.: высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, к-рые определяются обычно св-вами фоторезистов, параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений.

Вместе с др. видами микролитографии - электроно-, рен-тгено- и ионолитографией (соотв. экспонирование потоком электронов, рентгеновскими лучами и ионами легких элементов) - Ф. является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др.

Лит.:M о r о У., Микролитография, пер. с англ., M., 1990. См. также лит. при ст. Планарная технология. Г. К. Селиванов.

ФОТОЛИТОГРА́ФИЯ -и; ж.

1. Литография, основанная на применении фотографии, когда рисунок, изображение с негатива наносится на литографический камень или металлическую пластинку, покрытые светочувствительным слоем.

2. Оттиск с литографической печатной формы, изготовленной таким способом. Цветная ф.

◁ Фотолитографи́ческий, -ая, -ое. Ф. способ. Ф-ое издание.

* * *

1) литография с использованием печатной формы, созданной на поверхности литографского камня посредством фотокопирования; оттиск, полученный с такой формы.2) Фотолитография в планарной технологии — способ образования на поверхности полупроводникового кристалла (подложки) маски с «окнами» определённой формы и размеров для последующего формирования элементов интегральных схем и других электронных приборов. Осуществляется фотокопированием изображения маски на слой фоторезиста (покрывающий кристалл), который после соответствующей химической обработки (вскрытия «окон») становится такой маской.

* * *

ФОТОЛИТОГРА́ФИЯ, фотомеханический способ изготовления печатной формы плоской печати на камне или металлической пластине, а также оттиск с такой формы.

(от фото... и литография) - 1) Ф. в полиграфии - фотомеханич. способ изготовления формы плоской прямой печати на камне, металлич. пластине, а также оттиск с такой формы. Методы Ф. применяют и в технологии изготовления миниатюрных электронных устройств на интегр. микросхемах.

2) Ф. в электронике - способ формирования рельефного изображения в слое металла, диэлектрика или ПП с использованием спец. материалов, чувствит. к УФ излучению (т. н. фоторезистов). Цель Ф. - создать в слое фоторезиста "окна" заданной конфигурации для доступа травителей к расположенной под ним подложке (напр., ПП пластине с оксидной плёнкой). Применяется в электронном приборостроении при изготовлении интегральных схем, запоминающих устройств, прецизионных фотошаблонов и т. д. с размерами элементов 1 - 2 мкм и более.

photolithographic [photoresist] processing

* * *

photolithograpry

ж.

litofotografia f, fotolitografia f

техн.

фотолітогра́фія

техн.

фотолітогра́фія

в планарной технологии, способ образования на поверхности полупроводн. кристалла (подложки) маски с "окнами" определ. форм и размеров для последующего формирования элементов интегральных схем и др. электронных приборов. Осуществляется фотокопированием изображения маски на слой фоторезиста (покрывающий кристалл), к-рый после соотв. хим. обработки (вскрытия "окон") становится такой маской.