«ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ»

ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ - удаление вещества с поверхности твердого тела в результате ионной бомбардировки; позволяет выявить структуру поверхности.

ionic etching, ion etching

ion(-beam) etching, ion(-beam) milling

ИОННОЕ ТРАВЛЕНИЕ

- удаление вещества с поверхности твёрдого тела под действием ионной бомбардировки. Процесс И. т. зависит от интенсивности пучка, вида, энергии н угла падения ионов, а также от материала и состояния мишени. В процессе И. т. вследствие распыления, дефектообразования, имплантации ионов и атомов отдачи меняются элементный состав и структура поверхности: происходит обогащение поверхности определ. элементом, кристаллизация или

аморфизация поверхностного слоя. Изменение поверхностного рельефа при И. т. включает неск. стадий: 1) возникновение дефектов ( вакансий, межузельных атомов, дислокаций);2) появление микроскопич. неоднородностей размерами 10-100 нм [ямки травления, конич. или пирамидальные выступы (рис. 1,2) границы зёрен]; 3) образование неоднородностей макроскопич. размеров порядка долей мкм. <Скорость И. т. в единицах массы вещества, уносимого с единичной площадки, определяется соотношением:v=[MK/NZ_e]j,где М - ат. масса вещества мишени, К - коэф. распыления, N- число Авогадро, Z_e - заряд иона, j-плотность ионного тока. Толщина слоя, распылённого за 1 с, равна v/r, где r - плотность мишени. <И. т. используется для выявления структуры поверхности, дефектов, деформированных участков. И. т. применяется также для создания многоострийной поверхности (см. Автоэлектронная эмиссия, Ионный проектор), для профилирования при послойном анализе состава разл. слоев методами оже-спектроскопии, для избирательного удаления вещества через маски при создании элементов микроэлектроники (см. Микролитография). Лит.: Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, в. 2, пер. с англ., под ред. Р. Бериша, М., 1986.Л. И. Прапявичус, Ю. И. Дувонис.