«ГЕТЕРОПЕРЕХОД»

ГЕТЕРОПЕРЕХОД - контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (p - n-гетеропереходы) или изотипными (p - p-гетеропереходы, n - n-гетеропереходы). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры на гетеропереходах обладают высокими характеристиками.

heterojunctionheterojunction

heterojunction, heterotransition

ГЕТЕРОПЕРЕХОД

контакт двух различных по хим. составу полупроводников. На границе раздела ПП обычно изменяются ширина запрещённой зоны, подвижность носителей яаряда, их эффективные массы и др. хар-ки. В «резком» Г. изменение св-в происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД). В зависимости от легирования обеих сторон Г. можно создать р — n-Г. (анизотипные) и n-Г. или р — р-Г. (изотипные). Комбинации разл. Г. и монопереходов образуют гетероструктуры.

Образование Г., требующее стыковки крист. решёток, возможно лишь при совпадении типа, ориентации и периода крист. решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном Г. граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций, точечных дефектов и т. п.), а также от механич. напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллич. Г. между полупроводниковыми материалами типа AIIIBV и их твёрдыми растворами на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение хим. состава происходит без изменения периода решётки. Гетероструктуры получают также на основе многокомпонентных (четверных и более) тв. растворов, в к-рых при изменении состава в широких пределах период решётки не изменяется. Изготовление монокрист. Г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания ПП кристаллов (см. ЭПИТАКСИЯ).

Г. используются в разл. ПП приборах: ПП лазерах, светопзлучающих диодах, фотоэлементах, оптронах и т. д.

гетероперехо́д

контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (р–n-гетеропереход) или изотипными (р–р-гетеропереход, n–n-гетеропереход). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры на гетеропереходах обладают высокими характеристиками.

* * *

ГЕТЕРОПЕРЕХО́Д, контакт между двумя разными по химическому составу полупроводниками. Гетеропереходы могут быть анизотипными (p — n-гетеропереходы) или изотипными (p — p-гетеропереходы, n — n-гетеропереходы). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры на гетеропереходах обладают высокими характеристиками.

контакт между двумя разнородными по хим. составу или (и) фазовому состоянию полупроводниками, например Ge - Si, GaAlAs GaAs, InAs - Ge. Г. получают методом эпитаксиального наращивания одного монокристалла (из газовой фазы) на др. В зависимости от типа проводимости контактирующих материалов различают Г. анизотипные (р - n-Г.) и изотипные (п - n-Г., р - р-Г.). Наибольший практич. интерес представляют Г., св-ва к-рых обусловлены различиями в значениях ширины запрещённой зоны (см. Зонная теория) и энергии сродства к электрону контактирующих ПП. Г. используются в разл. ПП приборах: переключателях в быстродействующих логич. схемах для ЭВМ, светоизлучающих диодах. ПП лазерах и т. д. См. также Гомопереход.

heterojunction, heterotransition

* * *

heterojunction

ды́рочно-ды́рочный гетероперехо́д — p-p heterojunction

прямосмещё́нный гетероперехо́д — forward biased heterojunction

электро́нно-электро́нный гетероперехо́д — n-n heterojunction

м.

eterogiunzione f

контакт между двумя разными по хим. составу полупроводниками. Г. могут быть анизотипными (р-п-Г.) или изотипными (р-р-Г.,п-п -Г.). Транзисторы, тиристоры, полупроводниковые лазеры на Г. обладают высокими характеристиками.