«ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ»

ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ

область полупроводника у его поверхности, в к-рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n-типа (р-типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим отрицательным (положительным) потенциалом:

j>2kT/e|lnp0/n0|.

Здесь е — заряд эл-на, n0 и p0— концентрации эл-нов и дырок в объёме ПП. И. с. реализуется вблизи контакта ПП — металл, когда работа выхода металла превышает работу выхода ПП более чем на ширину запрещённой зоны ПП при наличии поверхностных состояний, захватывающих осн. носители. Если толщина И. с. меньше длины свободного пробега носителей, то в нём возможно образование квазидвухмерной проводимости (см. ДВУМЕРНЫЕ ПРОВОДНИКИ). Это приводит к изменению электрич. и оптич. св-в поверхностного слоя ПП.

ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ

ИНВЕРСИО́ННЫЙ СЛОЙ, слой у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда(см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА). Может образовываться как у свободной границы, так и у границы раздела с диэлектриком, металлом или другим полупроводником. Образование инверсионного слоя обусловлено воздействием на полупроводник нормального к поверхности электрического поля, которое согласно зонной теории(см. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ) приводит к изгибу энергетических зон вблизи поверхности. Является основным элементом полевого транзистора(см. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР), часто встречается в различных устройствах микроэлектроники.

электрон. strato di inversione