«ЦИКЛОТРОННАЯ МАССА»

-величина, играющая роль массы в выражении для частоты периодич. движения носителей заряда в пост. магн. поле H в импульсном пространстве; периодич. движение происходит по плоской кривой, образуемой пересечением изоэнергетич. поверхности (p) =const с плоскостью p_H =const, где р _H - проекция квазиимпульса носителя на направление H. Угл. частота этого движения w _с, наз. циклотронной, определяется выражением

где е - заряд носителя, т _с - Ц. м., равная

Здесь S- площадь сечения изоэнергетич. поверхности плоскостью p_H =const.

Если изоэнергетич. поверхность - сфера, то Ц. м. совпадает с эффективной массой. Для эллипсоидальных изоэнергетич. поверхностей т _с зависит только от углов между направлением H и осями эллипсоида. Так, для двухосных эллипсоидов (сфероидов) т _с определяется соотношением

Здесь m _| и m_|| и -гл. значения тензора эфф. масс ("поперечная" и "продольная" массы), q - угол между H и осью сфероида. В более сложных случаях т _с зависит от р _H (тяжёлые дырки в Ge и Si) и от и может быть рассчитана только численно. Ц. м. определяется экспериментально методом циклотронного резонанса.

Лит.: Цидильковский И. M., Электроны и дырки в полупроводниках, M., 1972. E. M. Гершензон.