«ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ»

(обеднённый слой) - слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода ( р - п-перехода),свободной поверхности. Из-за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд, противоположный им по знаку. Он скомпенсирован зарядом в металле, др. полупроводнике, в области с др. типом проводимости, на свободной поверхности (см. Контактные явлении в полупроводниках). Приложение прямого смещения обогащает 3. с. носителями, уменьшает в нём поле и сужает слой; обратное смещение ещё сильнее обедняет 3. с. носителями, увеличивает поле и расширяет его. 3. с. с полностью ионизированными примесными атомами наз. слоем Шоттки. 3. с.-основной рабочий элемент полупроводникового диода, транзистора, варикапа и др. полупроводниковых приборов.