Большая Советская энциклопедия
Шоттки диод, диод с барьером Шотки, Полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник; назван в честь немецкого учёного В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления (См. Катодное распыление) либо химического или электролитического осаждения. В Ш. д. (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (См. Электронно-дырочный переход) (в области этого перехода), возникает Потенциальный барьер (см. также Шотки барьер),изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см.рис. 2). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.
Отличительные особенности Ш. д. по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10―11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами (См. Интегральная схема); простота изготовления. Ш. д. служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения (детекторными, смесительными, лавинно-пролётными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш. д. применяют в качестве приёмников излучения (См. Приёмники излучения),детекторов ядерного излучения (См. Детекторы ядерных излучений),Тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока (См. Выпрямитель тока) ВЧ, солнечных батареях (См. Солнечная батарея) и т.д.
Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.
Ю. Р. Носов.
Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: U — напряжение на диоде; I — ток через диод; U*oбр и I*oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.
Структура детекторного Шотки диода: 1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка; 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт.
Большой энциклопедический политехнический словарь
полупроводниковый диод, действие к-рого осн. на использовании св-в контакта металл - полупроводник; назван по имени нем. учёного В. Шотки (W. Shottky), создавшего в 1938 - 1939 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш. д. обычно на очищенную поверхность ПП кристалла (кремния, арсенида галлия, реже германия) наносят тонкий слой металла (золота, алюминия, платины) методами вакуумного напыления либо хим. или электролитич. осаждения. Ш. д. могут работать на более высоких частотах, чем аналогичные диоды с р - п-переходом (вплоть до субмиллиметрового диапазона волн). Др. отличит, особенности Ш. д.: возможность получения требуемой высоты потенциального барьера посредством выбора соответствующего материала; значит. нелинейность вольтамперной хар-ки при малых прямых напряжениях (смещениях); низкий уровень ВЧ шумов. Ш. д. используются гл. обр. в СВЧ технике в качестве детекторных, лавинно-пролётных, параметрич., смесит, и умножит, диодов, а также как импульсные и выпрямит, диоды. Кроме того, Ш. д. применяются в монолитных интегральных схемах.