«Тензорезистивный эффект»

изменение удельного электросопротивления твёрдого проводника (металла (См. Металлы), полупроводника (См. Полупроводники)) в результате его деформации. Величина относительного изменения компонент тензора электросопротивления Тензором деформации u_imчерез тензор четвёртого ранга На практике пользуются понятием тензочувствительности l образца под действием приложенной нагрузки в определённом направлении, k порядка единицы, в полупроводниках (например, в Ge и Si) в десятки и сотни раз больше.

Т. э. связан с изменением межатомных расстояний при деформации, что влечёт за собой изменение структуры энергетических зон кристалла. Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение их между энергетическими максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Т. э. применяется в Тензодатчиках сопротивлений, служащих для измерения деформаций.

Лит.: Блатт Фр. Д ж., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Киреев П. С., Физика полупроводников, М., 1969: Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н., Полупроводниковые тензодатчики, М.— Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.

Б. А. Аронзон.

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ - изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.

tensoresistive effect

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ

изменение электрич. сопротивления тв. проводника (металла, полупроводника) в результате его деформации. Особенно велик Т. э. в полупроводниках, где он связан с изменением энергетич. спектра носителей заряда при деформации: с изменением ширины запрещённой зоны и энергий ионизации примесных уровней; с относит. изменением энергий отдельных долин зоны проводимости; с расщеплением дырочных зон, к-рые в отсутствии деформации вырождены; с изменением эффективных масс носителей заряда (см. ЗОННАЯ ТЕОРИЯ). Всё это приводит к изменению концентрации носителей и их эффективной подвижности. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей через изменение спектра фононов и появление новых дефектов. Величина Т. э. при малых деформациях пропорц. упругому напряжению:

где Dsij — изменение тензора уд. электропроводности, s»1/3(sхх+syy+szz) —ср. уд. электропроводность кристалла, Pkl — тензор упругих напряжений, а Пijkl — тензор четвёртого ранга, наз. тензором коэфф. пьезосопротивления, характеризующий Т. э. в однородных полупроводниках. Абс. величина компонент Пijkl достигает в полупроводниках значений 10-9 — 10-8 м2/Н.

Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью объёма полупроводников, поэтому при концентрации механич. напряжений именно в этой области даже малое механич. усилие создаёт значит. изменение высоты потенциального барьера для носителей, что приводит к изменению вольтамперной хар-ки прибора. Полупроводниковые тензоэлементы служат чувствительными датчиками механич. напряжений (>10 В/Н) и ускорений.

тензорезисти́вный эффе́кт

изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.

* * *

ТЕНЗОРЕЗИСТИ́ВНЫЙ ЭФФЕ́КТ, изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.

изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ - изменение электросопротивления проводника в результате его деформации. Используется для измерения смещений или деформаций.

Большой Энциклопедический словарь. 2000.

Источник: