«Полупроводниковый стабилитрон»

Полупроводниковый диод, на выводах которого напряжение остаётся почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нём электрического тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики П. с. находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р—n-перехода. При напряжениях пробоя U_np5в механизм резкого возрастания тока (пробой) связан с туннельным эффектом (См. Туннельный эффект), а при U_np> 6,5в —с лавинным умножением носителей заряда; при промежуточных напряжениях генерируемые первоначально (вследствие туннельного эффекта) носители заряда создают условия для управляемого лавинного пробоя. В СССР выпускаются (1975) кремниевые П. с. на различные номинальные напряжения стабилизации в диапазоне от 3 до 180 в. П. с. применяют главным образом для стабилизации напряжения и ограничения амплитуды импульсов, в качестве источника опорного напряжения, в потенциометрических устройствах.

Лит.: Михин Д. В., Кремниевые стабилитроны, М. — Л., 1965.

И. Г. Васильев.

Zener diode

breakdown diode

breakdown diode

* * *

crystal stabilizer diode