Большая Советская энциклопедия

    соединения фосфора с металлами, а также с неметаллами, более электроположительными, чем фосфор (В, Si, As и т.п.). Ф. непереходных металлов, а также металлов подгруппы меди, имеющие состав Me3P и Me2P5 для щелочных металлов, Me3P2 для щёлочноземельных, Me3P и MeP2 для металлов подгруппы меди (где Me – металл), – ионные, солеподобные соединения. Ф. щелочных и щёлочноземельных металлов легко разлагаются водой и разбавленными кислотами с выделением Фосфина.Ф. щёлочноземельных металлов и металлов подгруппы меди термически неустойчивы; при относительно высоких содержаниях фосфора эти Ф. обладают полупроводниковыми свойствами. Ф. переходных металлов (например, CrP, MoP, TiP и др.), в том числе лантаноидов и актиноидов (LaP, PuP, U3P4 и др.), химически устойчивы, не разлагаются водой и разбавленными кислотами; по физическим свойствам близки либо к полупроводникам (UP, NbP, MnP и др.), либо к металлам (TiP, ZrP и др.). Ф. бора, алюминия, индия представляют собой ковалентные соединения, тугоплавкие, обладающие полупроводниковыми свойствами. Имеются среди Ф. летучие молекулярные соединения (например, соединения с серой, селеном, теллуром).

    Ф. образуются в результате синтеза из элементов при температурах 600–1200 °С в вакууме или в атмосфере инертных газов; при взаимодействии фосфина с металлами и неметаллами или с их окислами; в результате обменных реакций фосфина с галогенидами или сульфидами (например, B2S3 + 2PH3 = 2BP + 3H2S); при восстановлении фосфатов металлов углеродом при высоких температурах.

    Наибольшее значение имеет применение ряда Ф. (InP, GaP) в качестве полупроводниковых материалов (См. Полупроводниковые материалы). Ф. цинка используется как яд для борьбы с грызунами. Ф. вводят в состав некоторых сплавов цветных металлов (например, фосфористых бронз) для раскисления и улучшения антифрикционных свойств. Склонность некоторых Ф. разлагаться с выделением самовоспламеняющихся на воздухе фосфинов используется в пиротехнике для приготовления сигнальных средств.

    Лит. см. при ст. Фосфор.

    Л. В. Кубасова.

  1. Источник: Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.



  2. Толковый словарь Ефремовой

    мн.

    Соединения фосфора с другими элементами.

  3. Источник: Толковый словарь Ефремовой. Т. Ф. Ефремова. 2000.



  4. Большой энциклопедический словарь

    ФОСФИДЫ - химические соединения фосфора с металлами. Кристаллические вещества, легко разлагаются водой или кислотами, выделяя ядовитый фосфористый водород. Фосфиды бора, галлия, индия (BP, GaP, InP) - полупроводниковые материалы, фосфиды цинка (Zn3P2) - родентицид.

  5. Источник: Большой Энциклопедический словарь. 2000.



  6. Химическая энциклопедия

    соединения фосфора с более электроположит. элементами. По типу хим. связи Ф. подразделяют на соед. с преим. ионной связью, металлоподобные и с преим. ковален-тной связью. К ионным относятся Ф. щелочных и щел.-зем. элементов и металлов подгруппы цинка. Эти Ф. легко гидролизуются водой, хорошо раств. в к-тах с выделением PH3, сгорают в токе O2 с образованием оксидов металлов и P, реагируют с галогенами. Нек-рые из них обладают полупроводниковыми св-вами из-за того, что в межатомной связи присутствует определенная доля ковалентной составляющей. Металлоподобные Ф. образуют гл. обр. переходные металлы, в т. ч. РЗЭ. Их состав, как правило, не соответствует валентностям образующих их элементов. Эти Ф. тугоплавки, устойчивы к действию воды и K-T. Их хим. стойкость растет с увеличением содержания P. Так, Ni3P, Cr3P, Fe3P, Ti3P легко разлагаются к-тами-окислителями (H2SO4, HNO3, HClO4), а также щелочами. В то же время Ф. состава TiP, VP, TaP, CrP, FeP, MnP не взаимод. с конц. соляной к-той и к-тами-окислителями. Они раств. при нагр. в царской водке. Все металлоподобные Ф. разлагаются смесью HF и HNO3 и при сплав-лении с щелочами и пероксидами металлов. Многие из них -полупроводники благодаря тому, что в хим. связь вносит определенный вклад ковалентная составляющая.

    Ковалеитные Ф. образуются непереходными элементами III и IV гр. периодич. системы (кроме Tl). Они тугоплавки, их хим. стойкость к воде и др. агрессивным средам сильно зависит от чистоты образца. Особенно устойчивы высоко чистые в-ва. Все твердые ковалентные Ф.- полупроводники, ширина запрещенной зоны к-рых тем больше, чем выше доля ионной связи в них. Типичные полупроводниковые Ф. этой группы представляют собой координац. соед., в к-рых помимо простых ковалентных связей присутствуют донор-но-акцепторные связи. При этом атом P - донор, а атомы более электроположит. элемента - акцепторы электронной пары.

    Ф. полуметаллов и неметаллов также гл. обр. ковалентные соед. Они м. б. газами (напр., PH3), твердыми в-вами; по электрофиз. св-вам - диэлектриками или полупроводниками. Типичный диэлектрик - BP. Он устойчив к действию к-т-окислителей и щелочей. Другие Ф. этой группы, напр. AlP и SiP, не обладают большой стойкостью к действию хим. реагентов.

    Св-ва нек-рых Ф. представлены в табл. Ф. активных металлов - солеобразные в-ва, Ф. металлов подгруппы Zn, у к-рых полностью заполнены ( п Ч1)d-орбитали,- полупроводники. В случае переходных металлов с незаполненными полностью ( пЧ1)d-орбиталями Ф. могут быть как полупроводниками, так и металлоподобными. Для последних характерно относительно меньшее содержание P в формульной единице. При этом ферромагн. металлы могут образовывать и ферромагн. Ф., напр. Fe3P и CoP. Типичные полупроводники - Ф. элементов групп Ша и IVa (GaP, InP, SiP, GeP).

    СВОЙСТВА НЕКОТОРЫХ ФОСФИДОВ

    Соединение

    Сингония

    T. пл., 0C

    5026-42.jpg

    кДж/моль

    Ширина запрещенной зоны, эВ

    K3P а........

    Гексагон.

    Разлагается

    Ч

    Ч

    Mg3P а......

    Кубич.

    Разлагается

    -254,3

    Ч

    Zi3P2 б.......

    Тетрагон.

    883

    -194,9

    1,15

    Cd3P2 б......

    "

    739

    -155,2

    0,58

    Cu3P в.

    Гексагон.

    1022

    -150,6

    Ч

    CuP2 б.......

    Моноклинная

    891

    -121,3

    1,4

    BP г.........

    Кубич.

    2250

    -395,7

    4,5

    GaP б.......

    "

    1465

    -102,5

    2,25

    InP б.

    "

    1062

    -84,5

    1,28

    SiP б.........

    Ромбич.

    1170

    -79,1

    2,4

    GeP б........

    Моноклинная

    725

    -175,4

    1,0

    TiP в.........

    Гексагон.

    1990 е

    -282,8

    Ч

    Cr3P в........

    Тетрагон.

    1510

    Ч

    Ч

    CrP б........

    Ромбич.

    1600

    Ч

    0,8

    MnP б

    "

    1147 е

    Ч

    1,1

    Mn3P в.......

    Тетрагон.

    1105

    Ч

    Ч

    FeP б........

    Ромбич.

    Ч

    -121,3

    1,0

    Fe3P д.......

    Тетрагон.

    1166 е

    -164,0

    Ч

    CoP д

    Ромбич.

    1520

    -146,4

    Ч

    Co2P в.......

    "

    1386

    -196,2

    Ч

    Ni3P в.......

    Тетрагон.

    1025

    -219,2

    Ч

    Ni2P в.......

    Гексагон.

    1106

    -184,1

    Ч

    ZnGeP2 б.....

    Тетрагон.

    1250

    Ч

    2,2

    CdSiP2 б.....

    "

    1200

    Ч

    1,8

    а Солеобразен. б Полупроводник. в Металлоподобен. г > Диэлектрик. д Ферромагнетик. е С разложением.

    Осн. метод получения Ф.- синтез из простых в-в в вакууме, атмосфере инертного газа или под давлением паров P. Можно также получать Ф. взаимод. PH3 с металлами или их оксидами, карботермич. восстановлением фосфатов, обменной фосфи-дизацией (р-ция металла или его хлорида с др. Ф.) и т. д. Наиб. практич. применение нашли галлия фосфид и индия фосфид как полупроводниковые и оптоэлектронные материалы. SiP используют для легирования монокристаллов Si. Перспективные полупроводниковые материалы - тройные Ф., напр. ZnSiP2, CdGeP2. Соед. Cu3P применяют как раскислитель в произ-ве бронз, для пайки латуни вместо серебряного припоя.

    Zn3P2 и Cu3P - полупроводниковые материалы, Zn3P2 - также зооцид. Ф. железа и Ni употребляют для создания износостойких покрытий на деталях машин. Благодаря самопроизвольному выделению горючих фосфинов во влажном воздухе Mg3P2 и Ca3P2 являются компонентами спец. сигнальных устройств и пиротехн. составов. Ф. токсичны из-за выделения PH3.

    ПДК для Cu3P 0,5 мг/м 3, для Zn3P2 0,1 мг/м 3.

    Лит.: Самсонов Г. В., Верейкина Л. Л., Фосфиды, К., 1961; Кри-сталлохимические, физико-химические и физические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, M., 1973; Угай Я. А., Введение в химию полупроводников, 2 изд., M., 1975; Гончаров E. Г., Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия, Воронеж, 1989. Я. А. Угай.

  7. Источник: Химическая энциклопедия



  8. Энциклопедический словарь

    фосфи́ды

    химические соединения фосфора с более электроположительными элементами. Кристаллические вещества, легко разлагаются водой или кислотами, выделяя ядовитый фосфин. Фосфиды бора, галлия, индия (ВР, GaP, InP) — полупроводниковые материалы. Фосфид цинка (Zn3P2) — родентицид.

    * * *

    ФОСФИДЫ

    ФОСФИ́ДЫ, химические соединения фосфора с металлами. Кристаллические вещества, легко разлагаются водой или кислотами, выделяя ядовитый фосфористый водород. Фосфиды бора, галлия, индия (BP, GaP, InP(см. ИНДИЯ ФОСФИД)) — полупроводниковые материалы, фосфиды цинка (Zn3P2) — родентицид.

  9. Источник: Энциклопедический словарь



  10. Большой энциклопедический политехнический словарь

    соединения фосфора с металлами; Ф. галлия, индия (GaP, InP) и др. применяются как ПП.

  11. Источник: Большой энциклопедический политехнический словарь



  12. Dictionnaire technique russo-italien

    м. мн. ч.

    fosfuri m pl

  13. Источник: Dictionnaire technique russo-italien



  14. Естествознание. Энциклопедический словарь

    хим. соединения фосфора с более электроположит. элементами. Кристаллич. в-ва, легко разлагаются водой или кислотами, выделяя ядовитый фосфин. Ф. бора, галлия, индия (ВР, GaP, InP) - полупроводн. материалы. Ф. цинка (7пзР2) - родентицид.

  15. Источник: Естествознание. Энциклопедический словарь



  16. Большой Энциклопедический словарь

    ФОСФИДЫ
    ФОСФИДЫ - химические соединения фосфора с металлами. Кристаллические вещества, легко разлагаются водой или кислотами, выделяя ядовитый фосфористый водород. Фосфиды бора, галлия, индия (BP, GaP, InP) - полупроводниковые материалы, фосфиды цинка (Zn3P2) - родентицид.

    Большой Энциклопедический словарь. 2000.

  17. Источник: