«Донорная примесь»

примесь в полупроводнике (См. Полупроводники) постороннего химического элемента, атомы которого являются донорами.

foreign donor, donor, donor dopant, n-type dopant, donor impurity, n-type impurity

foreign donor, donor, donor dopant, n-type dopant, donor impurity, n-type impurity

ДОНОРНАЯ ПРИМЕСЬ

- примесь в полупроводнике, ионизация к-рой приводит к переходу электрона в зону проводимости или на уровень акцепторной примеси. Типичный пример Д. п.- примеси элементов V группы (Р, As, Sb, Bi) в элементарных полупроводниках IV группы - Ge и Si. В сложных полупроводниках роль Д. п. могут играть атомы электроположит. элементов (Сu, Zn, Cd, Hg и др.), избыточные по отношению к составу, соответствующему стехиометрич. ф-ле полупроводника. <Введение Д. п. сообщает полупроводнику электронную проводимость, поскольку ионизация Д. п. приводит к появлению электронов в зоне проводимости, что описывается как переход электрона в зону проводимости с донорного уровня, расположенного в запрещённой зоне. Д. п. характеризуется энергией, необходимой для такого перехода (энергией иони-зации E_i. Д. п. с энергией ионизации порядка тепловой энергии kT (мелкие примеси) описывается водородоподобной моделью. Учёт диэлектрич. свойств полупроводника (характеризуемых его диэлектрической проницаемостьюe) и отличие эфф. массы т* электронов проводимости от массы свободных электронов m₀ приводит к тому, что энергия ионизации Д. п. оказывается в e²m₀/m* раз меньше энергии ионизации атома водорода (~10 эВ). При m*~0,l m₀, e~10E_i ~10^-3 E _ат ~ 10 мэВ. Лит.: Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977. Э. М. Энштейн.