Большая Советская энциклопедия

    транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда (см. Носители заряда в твёрдом теле) к коллектору, повышая коэффициент усиления и предельную рабочую частоту. Метод диффузии имеет несколько модификаций, по наименованию которых и различают типы Д. т.: диффузионно-сплавной, конверсионный, планарный, планарно-эпитаксиальный, меза. Д. т. изготовляют главным образом на основе монокристаллов германия и кремния. Д. т. применяют для усиления и генерирования колебаний с частотами от сотен кгц до нескольких Ггц и коммутации сигналов в электронных устройствах. См. также Транзистор.

  1. Источник: Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.



  2. Большой англо-русский и русско-английский словарь

    drift transistor

  3. Источник: Большой англо-русский и русско-английский словарь



  4. Англо-русский словарь технических терминов

    drift transistor, graded-base transistor

  5. Источник: Англо-русский словарь технических терминов



  6. Русско-английский политехнический словарь

    drift transistor, graded-base transistor

    * * *

    drift transistor

  7. Источник: Русско-английский политехнический словарь



  8. Dictionnaire technique russo-italien

    transistore a deriva [a lega diffusa]

  9. Источник: Dictionnaire technique russo-italien