«Осипьян Юрий Андреевич»

Осипьян Юрий Андреевич (р. 15.2.1931, Москва), советский физик, член-корреспондент АН СССР (1972). Член КПСС с 1959. Окончил Московский институт стали (1955). В 195562 работал в Институте металлофизики Центрального научно-исследовательского института чёрной металлургии. В 196263 заместитель директора Института кристаллографии АН СССР, с 1963 заместитель директора, с 1973 директор Института физики твёрдого тела АН СССР. Одновременно (с 1970) профессор Московского физико-технического института. Основные труды по физике твёрдого тела. Исследовал взаимодействие дислокаций с электронами в твёрдых телах и открыл новые явления в них: фотопластический эффект, электронный парамагнитный резонанс на дислокациях, дислокационную проводимость и т.д. Работы О. легли в основу нового направления дислокационной физики твёрдого тела. Награжден 2 орденами, а также медалями.

ОСИПЬЯН Юрий Андреевич (р. 1931) - российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1981), вице-президент РАН с 1991 (вице-президент АН СССР с 1988), Герой Социалистического Труда (1986). Труды по физике твердого тела, главным образом по физике дислокаций. Открыл т. н. фотопластический эффект в полупроводниках.

ОСИПЬЯН Юрий Андреевич

ОСИПЬЯ́Н Юрий Андреевич (р. 1931), российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР с 1981), вице-президент РАН с 1991 (вице-президент АН СССР с 1988), Герой Социалистического Труда (1986). Труды по физике твердого тела, главным образом по физике дислокаций. Открыл т. н. фотопластический эффект в полупроводниках.