«Лавинный транзистор»

Транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная Ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р⁺-р и n⁺-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т. — возможность получения отрицательного сопротивления (См. Отрицательное сопротивление)в цепи «эмиттер — коллектор» и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10^-9 сек.Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100 Мгц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических Осциллографах. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике Л. т. и малое эффективное значение времени пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.

Ю. А. Кузнецов.

avalanche transistorscat

avalanche (injection) transistor

биполярный транзистор, в к-ром используется явление лавинного пробоя в ПП - лавинного умножения силы тока в коллекторном переходе. Образование подвижных носителей в области объёмного заряда коллектора компенсирует их потери в Л. т. на инжекцию и перенос, и коэфф. усиления по току а устанавливается равным или больше 1. Л. т. отличаются от обычных транзисторов наличием отрицат. сопротивления участка эмиттер - коллектор. Для изготовления Л. т. используют кремниевые и германиевые эпитаксиальные структуры р⁺ - р- и n⁺ - n-типа; базовая область создаётся методом диффузии или имплантации. Л. т. применяют в импульсных устройствах для формирования мощных импульсов силы тока (до десятков А) со временем нарастания менее 10^-9 с.

avalanche (injection) transistor

* * *

avalanche transistor

transistore a valanga

лави́нний транзи́стор

лави́нний транзи́стор