в технике, растворение поверхности твёрдых тел с практической целью (в отличие от коррозии (См. Коррозия)). Различают Т. технологическое — для обработки и изменения формы поверхности металлов, полупроводников, стекла, древесины и др. материалов, и структурное — для выявления структуры кристаллических материалов (см. Металлография, Минералогия).
Технологическое Т. (чаще всего химическое) применяется, например, для очистки от окалины или для получения требуемого вида поверхности металлических полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т. типографских клише заключается в обработке кислотой участков металлических (преимущественно цинковой) пластины, не защищенных кислотоупорным слоем; при Т. эти участки оказываются углублёнными. Подобное Т. для создания необходимого профиля поверхности широко распространено в современной технологии полупроводниковых приборов (См. Полупроводниковые приборы), для изготовления интегральных схем (См. Интегральная схема) (см. также Микроэлектроника) и печатных плат в электронике (см. Печатные схемы (См. Печатная схема)).Для получения нужного рисунка схемы на полупроводниковые кристаллы или покрытые металлической фольгой (медной, алюминиевой, олово-никелевой и др.) печатные платы наносится химически стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т., например для удаления металлического слоя. Т. полупроводниковых материалов — важная операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиальной технологии (см. Эпитаксия) — для очистки поверхности от загрязнений и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (например, для вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных Транзисторов); для ограничения площади р—n-переходов в готовых диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т. для образования на нём рисунка или матовой поверхности, дерево — для придания не свойственного ему вида. Электрохимическое Т. успешно применяется для металлов и сплавов, химическое Т. которых затруднено (тантал, молибден, вольфрам, жаропрочные сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимического Т. по сравнению с химическим — чистота поверхности (на ней не остаётся никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.
Структурное Т. — протравливание полированных шлифов кристаллических материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней или сколов кристаллов различными химическими реактивами; при этом выявляются особенности химического и фазового состава и кристаллического строения, которые можно наблюдать невооруженным глазом (Макроструктура) или с помощью микроскопа (Микроструктура). Структурное Т. используется для научных исследований, в прикладной минералогии (в том числе для диагностики рудных минералов) и в промышленности — для контроля структуры при производстве металлов, сплавов, полупроводников и диэлектриков. По симметрии фигур Т. на гранях определяют ориентацию кристаллов. Метод фигур Т. успешно применяется главным образом в технологии полупроводников, для выявления дефектов в кристаллах (См. Дефекты в кристаллах); малоугловых и двойниковых границ, дислокаций (См. Дислокации) и дефектов упаковки.
Лит.: Жадан В. Т., Гринберг Б. Г., Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов, 2 изд., М., 1970; Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974.
Г. В. Инденбаум.
ТРАВИ́ТЬ 1, травлю́, тра́вишь; тра́вленный; несов.
1)
-я, ср. тех.
Действие по глаг. травить 1 (в 3 знач.).
Травление рисунка.
□
Травление поверхности металла кислотой вызывает появление темных, редко разбросанных пятен на фоне прочно сросшихся кристаллов. В. Попов, Сталь и шлак.
2)
-я, ср. мор., спец.
Действие по глаг. травить 2 (в 1 и 2 знач.).
Травление траса. Травление пара.
1.
ТРАВЛЕ́НИЕ1, травления, мн. нет, ср. (спец.). Действие по гл. травить1 в 6 и 7 знач.
2.
ТРАВЛЕ́НИЕ2, травления, мн. нет, ср. (мор., авиац.). Действие по гл. травить2.
I
ср.1.
процесс действия по гл. травить I 5.
2.
Результат такого действия; травка I 2..
II
ср.1.
процесс действия по гл. травить III
2.
Результат такого действия.
ТРАВЛЕНИЕ - химическое или электрохимическое растворение поверхности твердых материалов с практической целью. Различают травление технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т. д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллических материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т. д.).
Pickling — Травление.
Удаление поверхностных оксидов металлов путем химической или электрохимической реакции.
Etching — Травление.
(1) Воздействие на поверхность металла селективного химиката или электролитического раствора, чтобы показать детали структуры для металлографического исследования. (2) Химическое или электрохимическое удаление пленок с металлической поверхности, чтобы подготовить поверхность для последующей обработки, типа окраски или нанесения гальванического покрытия.
Pickle — Травление.
Химическое удаление поверхностных оксидов ржавчины, окалины и других загрязнений путем окунания в водный кислотный раствор. Наиболее общие растворы травления содержат серную и соляную кислоты.
ср.;
тех. etchingс. тех. etching.
bite полигр., etch, etching, killing, pickling, etching process, staining
травление с (металлов) Ätzen n 1, Beizen n 1
с
(металлов) Ätzen n, Beizen n
I с.
(металлов) traitement m à l'eau forte
II с. мор.filage m
I с. тех., хим.
corrosión f, ataque químico, decapado m; grabado al agua fuerte, grabación f(нанесение узора)
II с.1)мор. arriada f
2)спец.(пара, воздуха) evacuación f, escape m, expulsión f
с. тех.
mordenzatura
химическое, удаление части поверхностного слоя монокристалла, заготовки или изделия с помощью топохим. р-ций. Проводится с использованием р-ров, расплавов, газов (газовое Т.) или активир. газов (напр., плаз-мохимическое Т.). Собственно химическое Т. иногда сочетают с мех. воздействием, в качестве источника тепла и активатора при газовом Т. в ряде случаев используют лазеры.
Обработку пов-сти ионными пучками с высокой кинетич. энергией в вакууме (ионное, ионно-плазменное Т.) и частичную возгонку в вакууме (термическое Т.) обычно не относят к химическому Т.
В зависимости от морфологии получаемой пов-сти химическое Т. может быть выравнивающим (полирующим, шлифующим) и избирательным (селективным). При выравнивающем Т. происходит сглаживание рельефа пов-сти, уменьшение ее шероховатости, при избирательном Т.-увеличение неоднородности пов-сти, выявление дефектов структуры, границ двойников и доменов, растравливание трещин, царапин и т. п. Грани монокристаллов с разл. ориентацией раств. с разной скоростью. Поэтому избирательное Т. монокристаллов связано с образованием фигур (ямок) Т., форма к-рых определяется структурой кристалла, ориентацией пов-сти, видом дефектов и составом травителя, а кол-во-плотностью дефектов.
Выравнивающее Т. наблюдается обычно при протекании процесса в диффузионной области, а избирательное-в кинетич. области. Поэтому изменение т-ры, концентрации реагентов, гидродинамич. обстановки, введение добавок (в частности, ПАВ) могут изменить характер процесса, к-рый может стать комбинированным, напр.-с избират. действием в начальные периоды и выравнивающим в конце процесса. Наряду со сглаживанием рельефа пов-сти может происходить образование глубоких, иногда сквозных узких каналов.
Т. через защитные маски, нанесенные на пов-сть с помощью фотолитографии, с послед. удалением этих масок удается получать профили и детали заданных размеров. Миним. размеры профилей определяются разрешающей способностью фотолитографии, к-рая может достигать 1 мкм и менее. Главная трудность-отклонение боковых стенок вытравливаемого профиля от нормали к внеш. пов-сти-образование клина Т., растворение материала под защитной маской. Геометрия клина Т. определяется крис-таллич. структурой, ориентацией кристалла, размерами и ориентацией не защищенного маской участка пов-сти, кинетикой процесса.
Химическое Т. проводят с помощью в-в, позволяющих получать хорошо растворимые или (в случае газов) легко летучие продукты. Для Т. кремния, кварца, кварцевого стекла и силикатных стекол чаще всего используют водные р-ры на основе HF или NH4HF2, для Т. металлов-к-ты и их смеси, для плазмохимического Т. кремния и кварца-CF4, фторхлоруглероды и др. Наиб. предпочтительны р-ры, обладающие буферными св-вами.
Химическое Т. применяют в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников и др. неорг. материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений, выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографич. ориентации, удаления нарушенных слоев, придания пов-сти определенных св-в (полировка, шлифовка, загрубление, изменение к.-л. характеристик), для повышения мех. прочности изделий, для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных фильтров, хим. сенсоров и т. п.
Лит.: Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Амелинкс С., Методы прямого наблюдения дислокаций, пер. с англ., М., 1968; Пшеничников Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974; Хейман Р. Б., Растворение кристаллов. Теория и практика, пер. с нем., Л., 1979; Раков Э. Г., Федоров А. Е., в кн.: Итоги науки и техники, сер. Неорганическая химия, т. 15, М., 1988, с. 120-28. Э. Г. Раков.
ТРАВЛЕНИЕ
1.ТРАВЛЕ́НИЕ см. 1. Трави́ть.
2.ТРАВЛЕ́НИЕ см. 2. Трави́ть.
* * *
травле́ниехимическое или электрохимическое растворение поверхности твёрдых материалов с практической целью. Различают травление технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т. д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллических материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т. д.).
* * *
ТРАВЛЕНИЕТРАВЛЕ́НИЕ, химическое или электрохимическое растворение поверхности твердых материалов с практической целью. Различают травление технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т. д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллических материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т. д.).
хим. обработка, обычно растворами к-т (серной, соляной и др.), твёрдых материалов для изменения вида их поверхности или удаления примесей (напр.. при выяснении структуры, при пайке, лужении, очистке металлич. полуфабрикатов от окалины), а также для доведения металлич. заготовок до требуемых размеров и формы (т. н. размерное Т.). Металлич. и минер. шлифы подвергаются перед микроскопич. исследованием Т. такими реактивами, к-рые либо неодинаково разъедают, либо различно окрашивают отд. структурные составляющие. Т. клише заключается в обработке к-той пробельных участков металлич. (преим. цинковой) пластины, не защищённых кислотоупорным слоем; при Т. к-та растворяет металл, вследствие чего пробельные участки клише оказываются углублёнными. Художеств. Т. металла заменяет трудоёмкую ручную гравировку. Стекло подвергается Т. для образования на нём рисунка или матовой поверхности, дерево - для придания несвойств, ему вида. Применяется также электролитическое травление.
bite полигр., etch, etching, killing, pickling, etching process, staining
* * *
травле́ние с.1. (химическая обработка для выяснения структуры, получения рисунка на стекле и т. п.) etching
2. (химическая обработка для очистки металлических полуфабрикатов от окалины) pickling
ано́дное травле́ние — anodic pickling
бе́лое травле́ние — white pickling
травле́ние в га́зовой среде́ — gas pickling
травле́ние в раство́рах — wet etching
глубо́кое травле́ние — deep etching, deep-etch process
ио́нное травле́ние — ionic etching
като́дное травле́ние — cathodic pickling
кисло́тное травле́ние — acid pickling
корректу́рное травле́ние полигр. — re-etching, re-biting
кру́глое травле́ние полигр. — round [finishing] etching
магни́тное травле́ние — magnetic etching
многоступе́нчатое травле́ние — composite etching
травле́ние набры́згиванием — spray etching
оборо́тное травле́ние — reverse etching
однопроце́ссное травле́ние — powderless etching
травле́ние паке́тами — batch pickling
пла́зменное травле́ние полупр. — plasma etching
све́тлое травле́ние — white pickling
травле́ние с испо́льзованием фоторези́ста — photoresist etching
стру́йное травле́ние — jet etching
сухо́е травле́ние — dry etching
теплово́е травле́ние — thermal etching
теплово́е травле́ние излуче́нием ла́зера — laser-induced thermal etching
травле́ние то́чек — dot-etching
холо́дное травле́ние — cold etching
черново́е травле́ние — black pickling
чи́стое травле́ние — finishing [fine] etching
электролити́ческое травле́ние — electrolytic etching
травле́ние электро́нным лучо́м — electron beam etching
электрохими́ческое травле́ние — electrochemical pickling
эмульсио́нное травле́ние — powderless etching
* * *
pickling
с. хим., метал.
attacco m; decapaggio m; текст., кфт. mordenzatura f; полигр. morsura f, acidatura f
- анодное травление
- блестящее травление- травление в газовой среде
- выборочное травление
- глубокое травление
- избирательное травление
- ионное травление
- катодное травление
- травление квасцами
- кислотное травление
- макрографическое травление
- травление микрошлифов
- травление металлов
- металлографическое травление
- окислительное травление
- поверхностное травление
- травление по границам зерна
- травление погружением
- травление при отпуске
- равномерное травление
- рельефное травление
- селективное травление
- травление стекла
- тепловое травление
- термическое травление
- химическое травление
- щелочное травление
- электролитическое травление
- электрохимическое травление
I= тра́вка, техн., физ.
(поверхности) ща́влення, тра́влення
- беловое травление
- гальваническое травление- глубокое травление
- жидкостное травление
- корректурное травление
- размерное травление
- рельефное травление
- травление стекла
- химическое травление
- черновое травление
- щелочное травление
- электролитическое травлениеII техн.
1)(газа, воздуха и т. п.) випуска́ння
2)(снасти, якоря) попуска́ння
I= тра́вка, техн., физ.
(поверхности) ща́влення, тра́влення
- беловое травление
- гальваническое травление- глубокое травление
- жидкостное травление
- корректурное травление
- размерное травление
- рельефное травление
- травление стекла
- химическое травление
- черновое травление
- щелочное травление
- электролитическое травлениеII техн.
1)(газа, воздуха и т. п.) випуска́ння
2)(снасти, якоря) попуска́ння
хим. или электрохим. растворение поверхности тв. материалов с практич. целью. Различают Т. технологическое (удаление окалины, изготовление интегральных схем и печатных плат, углубление пробельных участков типографских клише, повышение гидрофильности пробельных элементов форм плоской печати и т.д.) и структурное (выявление особенностей макро- и микроструктуры кристаллич. материалов, диагностика рудных минералов, выявление дефектов рудных минералов, дефектов в кристаллах и т.д.).
Большой Энциклопедический словарь. 2000.