«Алфёров Жорес Иванович»

Алфёров Жорес Иванович (р. 15.3.1930, Витебск), советский физик, член-корреспондент АН СССР (1972). Член КПСС с 1965. Окончил (1952) Ленинградский электротехнический институт. С 1952 работает в Физико-техническом институте АН СССР. С 1972 профессор Ленинградского электротехнического института. Основные труды по исследованию гетеропереходов в полупроводниках и созданию приборов на их основе. Открыл явление «сверх-инжекции» в гетероструктурах, предложил принципы использования гетероструктур в полупроводниковой электронике. Ленинская премия (1972). Награжден 2 орденами, а также медалями.

АЛФЕРОВ Жорес Иванович (р. 1930) - российский физик, академик РАН (1991; академик АН СССР 1979), вице-президент РАН (с 1991; вице-президент АН СССР с 1990). Председатель Президиума Ленинградского (Санкт-Петербургского) научного центра РАН с 1989. Труды по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе. Ленинская премия (1972), Государственная премия СССР (1984).

Алфёров Жорес Иванович

(р. 1930), физик, академик (1979), вице-президент (с 1990) РАН. Председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН (с 1989). Труды по полупроводникам, гетеропереходам и приборам на их основе. Ленинская премия (1972), Государственная премия СССР (1984), Нобелевская премия (2000).

* * *

АЛФЁРОВ Жорес Иванович (р. 15 марта 1930, Витебск), российский ученый-физик, вице-президент Академии наук СССР(см. АКАДЕМИЯ НАУК СССР) (с 1990, с 1991 РАН), специалист в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники; лауреат Ленинской премии (1972), Государственной премии СССР (1984), Нобелевской премии (2000), Государственной премии Российской Федерации (2001).

Жорес Алферов родился в смешанной белорусско-еврейской семье, его родители происходили из местечка Чашники. Свое имя он получил в честь французского социалиста Жана Жореса(см. ЖОРЕС Жан). Окончив с золотой медалью школу в Минске, Алферов поступил в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ). По окончании (1952) факультета электронной техники ЛЭТИ, Алферов начал работать в Физико-техническом институте (ФТИ) имени А.Ф. Иоффе в лаборатории В.М. Тучкевича и принял участие в разработке отечественных транзисторов, фотодиодов, германиевых выпрямителей высокой мощности. В 1961 году он защитил кандидатскую диссертацию, а в 1970 — диссертацию на степень доктора физико-математических наук, обобщив целый этап своих исследований гетеропереходов в полупроводниках. В 1972 году он стал профессороми был избран членом-корреспондентом Академии наук СССР, а через год — заведующим кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ. В 1979 году ученый был избран действительным членом Академии наук СССР.

С 1987 по май 2003 года Ж.И. Алферов занимал пост директора ФТИ им. А.Ф. Иоффе, с мая 2003 по июль 2006 — был его научным руководителем. С 1989 года он возглавлял президиума Петербургского научного центра Российской академии наук. Многие годы ученый был главным редактором «Писем в «Журнал технической физики». Основные научные интересы Ж.И. Алферова лежат в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Он обнаружил явление сверхинжекции в гетероструктурах(см. ГЕТЕРОСТРУКТУРА), создал «идеальные» полупроводниковые гетероструктуры, положил начало новому научному направлению — гетеропереходам в полупроводниках. С начала 1990-х годов Алферов занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. Автор более пятисот научных работ, трех монографий и пятидесяти изобретений.

С конца 1980-х годов Ж.И. Алферов принимал участие в политической деятельности. В 1989—1992 годах он был народным депутатом СССР, в 1995—1999 — депутатом Государственной думы второго созыва от движения «Наш дом — Россия», с 1999 — депутатом Государственной думы третьего, четвертого и пятого созывов от КПРФ.